光刻曝光與紫外線強(qiáng)度檢測

光刻曝光技術(shù)利用紫外線原理對工業(yè)生產(chǎn)中一些物質(zhì)的雜質(zhì)的定域擴(kuò)散進(jìn)行加工。對于現(xiàn)在的光刻曝光技術(shù)來說極紫外線（EUV）快要適用了，那么設(shè)想接下來新一代的光刻會采用什么技術(shù)呢？是會有更短的波長？怎樣監(jiān)控其中的紫外線強(qiáng)度確保不會影響生產(chǎn)呢?

光刻曝光需要利用紫外線強(qiáng)度檢測儀進(jìn)行紫外線強(qiáng)度監(jiān)控。就目前發(fā)展前景來看。下一代的光刻技術(shù)很有可能為電子束曝光，極限分辨率能達(dá)到2、3nm。在光學(xué)光刻曝光系統(tǒng)中，曝光輻射的波長是光刻工藝的關(guān)鍵參數(shù)。波長直接影響紫外線的能量強(qiáng)度。也就是說需要達(dá)到良好的光刻工藝，必須要有紫外線強(qiáng)度檢測儀來對紫外線能量強(qiáng)度進(jìn)行參照。

傳統(tǒng)光刻曝光系統(tǒng)使用紫外光，會有干涉和衍射現(xiàn)象影響分辨率。雖如此，但還有繼續(xù)發(fā)展下去的趨勢。其中要想減少被市場上其他競爭產(chǎn)品的淘汰，首先在生產(chǎn)中就要注意利用紫外線強(qiáng)度檢測儀使光刻曝光過程中保持良好的紫外照射強(qiáng)度，才能生產(chǎn)出有競爭力的產(chǎn)品。目前的光刻曝光技術(shù)有極深紫外光系統(tǒng)，但其系統(tǒng)復(fù)雜，最終也難以規(guī)避由于干涉衍射帶來的分辨率限制。因此必須利用紫外線強(qiáng)度檢測儀防止紫外光的強(qiáng)度過高對分辨率造成很大影響。

為什么光刻曝光技術(shù)會不斷發(fā)展和越來越受歡迎呢？主要是因?yàn)閭鹘y(tǒng)系統(tǒng)中的缺陷不適應(yīng)現(xiàn)代市場的發(fā)展需求。非光學(xué)光刻曝光系統(tǒng)有以下幾種。X射線曝光系統(tǒng)：就商用X射線曝光設(shè)備來看，可以容忍的缺陷是圖形畸變，但更嚴(yán)重的限制是半影模糊。離子束曝光系統(tǒng)：存在隨機(jī)空間電荷問題，好處是不需要掩模。電子束曝光系統(tǒng)：存在電子的散射問題，好處是不需要掩模。X射線光刻的分辨率沒有那么高。X射線光刻和紫外光刻的原理不同。X射線不能被折射，也沒有好的反射材料，所以無法被聚焦。而且X射線的能量太高，會產(chǎn)生二次電子，這個限制了最小分辨率。所以就目前來說，光刻曝光技術(shù)的發(fā)展仍有不斷上升的區(qū)間，且這個過程離不開紫外線強(qiáng)度檢測儀的不斷檢測，確保紫外線能量的正?？刂?，光刻過程的正常進(jìn)行和產(chǎn)品質(zhì)量的最終保證。

光刻曝光技術(shù)的良好發(fā)展需要精確度高的紫外線強(qiáng)度檢測儀與之相配合。林上的LS126C紫外線強(qiáng)度檢測儀檢測功能多樣，可以顯示多種數(shù)據(jù)，還可以顯示強(qiáng)度的變化趨勢，在功能應(yīng)用和數(shù)據(jù)精確上都達(dá)到了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的前列。在發(fā)展過程中不斷與時俱進(jìn)，更加貼合了顧客的要求。未來的光刻曝光技術(shù)發(fā)展會與紫外線強(qiáng)度檢測儀相輔相成，互相促進(jìn)。